Программа предназначена для расчета вольт-амперных характеристик AlGaAs резонансно-туннельных диодов с учетом воздействия дестабилизирующих факторов. Программа выполняет расчет вольт-амперных характеристик AlGaAs резонансно-туннельных диодов при воздействии на них высоких температур, ионизирующих излучений (электроны, протоны, γ-лучи), а также комплекса дестабилизирующих факторов (одновременное воздействие высоких температур и ионизирующих излучений). На первом этапе пользователь указывает параметры гетероструктуры AlGaAs резонансно-туннельного диода (толщины слоев и молярная доля алюминия). На втором этапе пользователь вводит параметры резонансно-туннельного диода (удельное контактное сопротивление после изготовления, площадь мезы), а также параметры дестабилизирующего воздействия (температура, доза ионизирующего излучения, вид ионизирующего излучения, время воздействия). Далее путем решения уравнения Цу-Есаки с использованием метода матриц переноса осуществляется расчет вольт-амперной характеристики моделируемой гетероструктуры, резонансно-туннельного диода после изготовления и вольт-амперной характеристики резонансно-туннельного диода после воздействия дестабилизирующих факторов. Результаты расчетов представляются в табличном и графическом виде.